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相变存储材料Ge 1 Sb 2 Te 4 和Ge 2 Sb 2 Te 5 薄膜的结构和电学特性研究
2010
采用射频磁控溅射方法制备了两种用于相变存储器的Ge 1 Sb 2 Te 4 和Ge 2 Sb 2 Te 5 相变薄膜材料,对其结构、电学输运性质和恒温下电阻随时间的变化关系进行了比较和分析.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的结果表明:随着退火温度的升高,Ge 1 Sb 2 Te 4 薄膜逐步晶化,由非晶态转变为多晶态,表面出现均匀的、
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