Euv- lithographievorrichtung und verfahren zum bearbeiten eines optischen elements

Die Erfindung betrifft eine EUV-Lithographievorrichtung, umfassend: eine Beleuchtungseinrichtung zum Beleuchten einer Maske an einer Beleuchtungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung, sowie eine Projektionseinrichtung zur Abbildung einer an der Maske vorgesehenen Struktur auf ein lichtempfindliches Substrat. Die EUV-Lithographievorrichtung weist eine Bearbeitungseinrichtung (15) zur bevorzugt ortsaufgelosten Bearbeitung eines optischen Elements (6a), insbesondere der Maske, an einer Bearbeitungsposition in der EUV-Lithographievorrichtung auf. Zur Aktivierung mindestens eines Gasbestandteils des Gasstroms (27) umfasst die Bearbeitungseinrichtung (15) eine Strahlungsquelle zur Erzeugung von Strahlung, einen Teilchengenerator (30) zur Erzeugung eines Teilchenstrahls, insbesondere eines Elektronenstrahls (30a), und/oder einen Hochfrequenzgenerator.