Electrical properties of p-CdSb at low temperatures

The temperature and field dependences are measured of conductivity and Hall constant in undoped single crystals of p-CdSb in the temperature range from 2 to 100 K. An analysis of the experimental results shows that 1) the residual acceptor impurities in p-CdSb form an impurity band with a thermal activation energy of ϵ1 = 3.2 meV, and a carrier mobility of about μ = 10 to 1000 cm2/Vs; 2) a deeper impurity state with a thermal activation energy of ϵ2, = 6.1 meV exists in these crystals, 3) the effective mass of hole state density is 0.37m with a scatter of about (+11 to 5.5)%; 4) at low temperatures the carriers are heated to a considerable degree by the electrical field. Es werden die Temperatur- und Feldabhangigkeiten der Leitfahigkeit und der Hallkonstante in undotierten Einkristallen von p-CdSb im Temperaturbereich von 2 bis 100 K experimentell untersucht. Die Analyse der experimentellen Ergebnisse zeigt, das 1) die Akzeptor-Reststorstellen in p-CdSb ein Storleitungsband mit einer thermischen Aktivierungsenergie von ϵ1 = 3,2 meV und einer Ladungstragerbeweglichkeit von etwa μ = 10 bis 1000 cm2/Vs bilden, 2) ein tieferer Storstellenzustand mit einer thermischen Aktivierungsenergie von ϵ2 = 6,1 meV bei diesen Kristallen existiert: 3) die effektive Zustandsdichtelochermasse 0,37m mit einer Streuung von (+ 11 bis 5,5)% ist, 4) bei tiefen Temperaturen die Ladungstrager durch das elektrische Feld betrachtlich aufgeheizt werden.