Objet plaqué par un film mince de cuivre formé par dépôt autocatalytique

L'invention porte sur un objet plaque par un film mince de cuivre forme par depot autocatalytique qui, lorsqu'une couche de germe est formee par depot de cuivre autocatalytique, par exemple, dans un câblage de cuivre de damascene, peut ameliorer la regularite et l'adhesion d'un film forme en comparaison avec celles d'un film forme par depot de cuivre autocatalytique sur un metal simple tel que du tungstene ou du molybdene et en outre peut eliminer la complexite de la formation de deux couches d'une couche barriere et d'une couche de metal de catalyseur avant la formation de la couche de germe de cuivre pour former une couche de germe ayant une epaisseur faible et reguliere qui peut realiser la formation d'un câblage ultrafin. L'objet plaque est caracterise par le fait qu'il comprend un film mince d'un alliage barriere, pour des objectifs de prevention de diffusion de cuivre, dispose sur un materiau de base, le film mince de l'alliage barriere comprenant un metal B qui peut realiser un depot de deplacement avec des ions cuivre contenus dans un liquide de depot de cuivre autocatalytique et a des proprietes barrieres de cuivre et un metal A qui a une tendance d'ionisation inferieure dans un liquide de depot de cuivre autocatalytique ayant une valeur de pH de 10 ou plus par rapport au metal B, le film mince de l'alliage barriere ayant une teneur en metal B de pas moins de 15 % atomique et de pas plus de 35 % atomique, l'objet plaque comprenant en outre un film mince de cuivre dispose sur le film mince de l'alliage barriere, le film mince de cuivre ayant ete forme par depot autocatalytique a l'aide d'un liquide de depot de cuivre autocatalytique ayant une valeur de pH de 10 ou plus.