一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法

一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。器件包括位于衬底表面的AlGaN/GaN异质结和栅、源、漏电极结构，其中栅介质薄膜材料中具有F离子或Cl离子固定负电荷。本发明通过在栅介质薄膜中引入F离子或Cl离子固定负电荷，并通过控制所引入固定负电荷的电荷量来调节晶体管的阈值电压，并实现阈值电压大于零的增强型AlGaN/GaN HEMT器件。本发明通过在栅介质薄膜材料中引入固定负电荷的方法来获得增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构，由于对AlGaN/GaN异质结界面特性没有影响，故而不会造成器件性能的退化，且工艺简单可控，与耗尽型(常开型)AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺相兼容，制造GaN增强型效应晶体管的所制造的器件源漏饱和电流密度、栅漏电流小，特别适合于研制GaN逻辑电路。