Integrated circuit with a lateral insulated gate field effect transistor having

Eine Ausfuhrungsform einer integrierten Schaltung weist eine minimale laterale Abmessung (dm) einer Halbleiterwanne (102) an einer ersten Oberflache (104) eines Halbleiterkorpers (106) auf. Die integrierte Schaltung umfasst zudem einen ersten lateralen DMOSFET, der einen Lastpfad (110) aufweist, welcher mit einem Lastpin (112) elektrisch gekoppelt ist. Der erste laterale DMOSFET eignet sich dazu, einen Laststrom durch ein Lastelement (114), das mit dem Lastpin (112) elektrisch gekoppelt ist, zu steuern. Eine minimale laterale Abmessung (d) eines Draingebiets (116) des ersten lateralen DMOSFET an der ersten Oberflache (104) des Halbleiterkorpers (106) ist um mehr als 50% groser als die minimale laterale Abmessung (dm).