Structure electronique des alliages semi-conducteurs a-si#1##xsn#x et a-si#1##xge#x : h par spectroscopies x et electronique

La structure electronique des alliages semiconducteurs a-sisn, a-sige: h a ete etudie par spectroscopie d'emission et d'absorption x et par spectroscopie de photoelectrons. Des informations sur l'evolution des etats de valence et de conduction en fonction de la composition et des conditions de depot ont ete obtenus. Dans le cas de l'alliage a-sisn nous montrons que la diminution de la largeur de la bande interdite lorsque la concentration en sn augmente resulte du deplacement du bord de la bande de conduction vers le niveau de fermi. La distribution 3p de valence est fortement modifiee par rapport a celle du si pur et presente 2 pics nettement separes que nous attribuons a deux types d'hybridation sp#3 et sp#3d#2. Nous montrons que la densite d'etats localises proches des bords de bande augmente, lorsque x#s#n croit, ce qui contribue a la degradation des proprietes opto-electroniques de ces aliages. Pour l'alliage a-sige: h nos resultats montrent que la diminution de la largeur de la pseudo bande interdite lorsque le ge est incorpore dans le reseau du si amorphe provient essentiellement du deplacement du bord de la bande de valence vers le niveau de fermi. La distribution 3p de valence garde sensiblement la meme forme que dans le si pur et le bord de faible energie de liaison conserve la meme pente. Nous montrons que le bas de la bande de conduction comporte a la fois les etats vides p du si et sd du ge. Lorsque x#g#e augmente, le bord de bande reste a la meme energie mais il devient plus etale: nous attribuons cet etalement a une augmentation progressive du desordre