Oxide Breakdown due to Charge Accumulation during Plasma Etching

L'accumulation de charge sur un oxyde de grille isolant peut provoquer une disruption electrostatique. L'exposition d'une pastille contenant des dispositifs MOS a une decharge de plasma pendant la fabrication des structures de grille en polycristal peut entrainer une degradation du dispositif due a l'accumulation de charge. A 13,56 MHz la charge pouvant etre transferee sur la pastille est si petite qu'il est peu vraisemblable que la grille atteigne la disruption. Cependant, si la frequence est basse ou si l'alimentation est continue, les oxydes peuvent subir la disruption. Ils presentent aussi un accroissement de la densite d'etats a l'interface oxyde-semiconducteur. Une distribution de densite d'etats similaire est aussi trouvee si le courant d'une source constante traverse l'oxyde. Ce courant a la meme valeur que celui qui parcourt les echantillons dans le plasma. On conclut que l'accumulation de charge est la cause principale de defaillance par disruption electrique dans la gravure par plasma