氧分压对PLD法生长Si（111）基ZnO薄膜性能的影响

在不同氧分压下用脉冲激光沉积（PLD）法在n型硅（111）衬底上生长ZnO薄膜。通过对其进行XRD、傅里叶红外吸收（FTIR）和光致发光谱（PL）的测量，研究了氧分压对PLD法制备的ZnO薄膜的结晶质量和发光性质的影响。XRD显示，氧分压为6．50Pa时可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜。PL谱显示，当氧分压由0．13Pa上升至6．50Pa时，位于380nm附近的主发光峰的强度最大。当氧分压进一步上升至13．00Pa时，主发光峰减弱，与氧空位有关的发光峰消失，显示出ZnO薄膜的PL谱和氧分压的大小密切相关。