Thin films of SiOx prepared by magnetron sputtering

Silicijevi oksidi su vrlo koristan materijal u mikroelektronici i optoelektronici zbog mogucnosti mijenjanja elektricnog otpora i optickih osobina promjenom udjela kisika. Pri tome se SiOx<2 slojevi pretežno koriste kao pasivacijski sloj u MIS sklopovima, kao "potrosni" sloj u MEMS tehnologiji, ili kao pocetni materijal za formiranje kristalnih Si nanocestica u SiO2 matrici, dok se stehiometrijski SiO2 koristi kao izolator u mikroelektronici, opticke presvlake, ili kao podloga za heterogenu katalizu. Pri tome je magnetronsko rasprasenje osobito podesno za depoziciju na velikoj povrsini. Koristenjem razlicitih meta za rasprasivanje (Si, SiO, SiO2), u pojedinacnom ili kodepozicijskom režimu, te variranjem udjela kisika u Ar+O2 plazmi, postiže se precizna kontrola sastava SiOx filmova.