Memoires ferroelectriques utilisant des materiaux ferroelectriques a faible point de curie et encapsulation associee

Cette invention concerne une cellule de memorisation ferroelectrique (200) concue pour enregistrer des informations. On enregistre ces informations dans l'etat de polarisation remanente d'une couche dielectrique (213) ferroelectrique en fixant la direction de cette polarisation remanente. Ladite cellule de memorisation ferroelectrique (200) est concue pour enregistrer les informations a une temperature inferieure a une premiere temperature. Cette cellule de memorisation (200) est munie de contacts superieur et inferieur qui prennent en sandwich la couche dielectrique (213) incorporant le materiau ferroelectrique ayant un point de Curie superieur a ladite premiere temperature et inferieur a 400 °C. La couche dielectrique (213) est encapsulee dans un materiau impermeable a l'oxygene de facon a ce que la couche d'encapsulation (221) empeche l'oxygene de penetrer dans la couche dielectrique (213) ou de sortir de cette derniere. Un des contacts comporte generalement une electrode en platine (210). L'autre contact peut comporter une electrode similaire ou une couche semi-conductrice pourvues en surface d'electrodes espacees.