ビフェニル誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法

【課題】優れたエッチング耐性、高い耐熱性等を有するレジスト下層膜を形成する。 【解決手段】一般式（１）で表されるビフェニル誘導体。 （Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環を表す。ｘ、ｚはそれぞれ独立に０又は１を表す。） 【選択図】なし