半導体素子、半導体ウェハ、半導体ウェハの製造方法、半導体素子の製造方法

【課題】 半導体ウェハにおいて、正確な劈開のためのガイド溝を効率よく形成できる半導体ウェハの製造方法を提供する。 【解決手段】 結晶から形成された基板１０３上部に第１の溝４０４を形成する第１の溝形成工程と、 前記第１の溝形成工程後、基板１０３上における第１の溝４０４形成部位以外の部位に半導体結晶を選択的に成長させて機能性半導体結晶層１０４を形成する機能性半導体結晶層形成工程と、 前記機能性半導体結晶層形成工程後、第１の溝４０４形成部位周辺の機能性半導体結晶層１０４および基板１０３をドライエッチングして前記第１の溝を拡大し、機能性半導体結晶層１０４上面から基板１０３内部まで達する第２の溝１０２を形成する第２の溝形成工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。 【選択図】 図４Ｂ