Amélioration du dopage conforme dans une chambre p3i

L'invention concerne des procedes d'implantation d'ions dans un substrat par un procede d'implantation ionique par immersion plasma. Dans un mode de realisation, un procede d'implantation d'ions dans un substrat comprend la mise en place d'un substrat dans une chambre de traitement, le substrat possedant une surface dans laquelle une ou plusieurs caracteristiques sont formees, chaque caracteristique possedant une ou plusieurs surfaces horizontales et une ou plusieurs surfaces verticales, la production d'un plasma a partir d'un melange gazeux contenant un gaz reactif capable de produire des ions, le depot d'une couche de materiau sur la surface du substrat et sur au moins une surface horizontale de la caracteristique du substrat, l'implantation des ions provenant du plasma dans le substrat par un procede isotrope dans au moins une surface horizontale et au moins une surface verticale, et la gravure de la couche de materiau se trouvant sur la surface du substrat et sur la ou les surfaces horizontales par un procede anisotrope.