Dispositif a semi-conducteur comprenant une couche dielectrique couplee et une couche metallique, procede de fabrication correspondant et materiau destine a coupler une couche dielectrique et une couche metallique dans un dispositif a semi-conducteur

L'invention concerne un materiau de couplage de passivation destine, d'une part, a passiver une couche dielectrique dans un dispositif a semi-conducteur, et, d'autre part, a permettre ou au moins favoriser un depot de metal en phase liquide sur celle-ci dans une operation subsequente du procede. Dans un exemple particulier, la couche dielectrique peut etre un materiau poreux presentant une constante dielectrique k accrue selon les besoins, et le materiau de couplage de passivation permet d'obtenir des groupes de protection sterique bloquant sensiblement l'adsorption et l'absorption de l'humidite ambiante dans la couche dielectrique poreuse. Les materiaux de couplage de passivation permettent en outre d'obtenir des sites de nucleation de metal favorisant le depot d'un metal en phase liquide sur la couche, par opposition au depot en l'absence de materiau de couplage de passivation. L'utilisation d'un procede de depot de metal en phase liquide facilite la fabrication subsequente du dispositif a semi-conducteur. Dans un exemple, le materiau de couplage de passivation comprend plusieurs atomes de Si dans sa composition chimique, ce qui permet d'augmenter la stabilite thermique du materiau selon les besoins.