Procede pour produire un dispositif a semi-conducteur comprenant une electrode de porte siliciuree, et procede pour produire un circuit integre le contenant

La presente invention concerne un procede pour produire un dispositif a semi-conducteur, et un procede pour produire un circuit integre contenant ce dispositif a semi-conducteur. Le procede pour produire le dispositif a semi-conducteur (100) comprend, avec d'autres etapes possibles, la formation sur un substrat (110), d'une electrode de porte a silicium polycristallin, et la formation de zones source/drain (170) dans le substrat (110) a proximite de l'electrode de porte a silicium polycristallin. Le procede comprend egalement la formation d'une couche barriere (180) sur les zones source/drain (170), la couche barriere (180) comprenant un siliciure metallique, et la siliciuration de l'electrode de porte a silicium polycristallin, pour former une electrode de porte siliciuree (150).