ОБ ОБРАЗОВАНИИ ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ СРОСТКОВ КРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА

Приводятся экспериментальные данные по росту параллельных сростков кристаллов алмаза при высоких давлении и температуре. Обнаружено, что в результате увеличения пересыщения в ростовой системе на поверхности растущего монокристалла алмаза повышается концентрация центров кристаллизации, приводящая к появлению новых субиндивидов в параллельной ориентации и, в конечном итоге, к образованию параллельных сростков. Полученные результаты объясняют механизм образования подобных минералогических объектов, в том числе параллельных сростков природного алмаза.