Contact formation method A method of manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird geschaffen, das einen Kontakt mit niedrigem Widerstand erzielt. In einem Zustand, in dem eine erste Metallschicht in Kontakt mit einem Halbleiter zum Verhindern von Oxidation mit einer zweiten Metallschicht bedeckt wird, wird nur die erste Metallschicht siliziert, um eine Silizidschicht ohne in dieselbe eingemischten Sauerstoff zu bilden. Als ein Material der ersten Metallschicht wird ein Metal mit einer Austrittsarbeitsdifferenz eines vorbestimmten Werts von dem Halbleiter verwendet. Als ein Material der zweiten Schicht wird ein Metall verwendet, das bei einer Tempertemperatur nicht mit der ersten Metallschicht reagiert.