ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ НАНОКЛАСТЕРОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GESI/SI, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ В СРЕДЕ GEH4

Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции гетероструктур GeSi/Si(001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4, от условий роста. Установлено, что зарождение кластеров происходит по механизму Странск–Крастанова, а при дальнейшем росте существенное влияние на их морфологию оказывают процессы коалесценции. Удвоение линий фотолюминесценции в нанокластерах связано с излучательной рекомбинацией в объеме кластеров, а голубое смещение линий с увеличением времени роста обусловлено диффузией Si из подложки в объем кластеров. Определены условия получения однородных массивов нанокластеров, проявляющих фотолюминесценцию при комнатной температуре.