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磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的研究
2006
用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法可重复制备出具有隧道磁电阻（TMR)效应的Ni80Fe20/Al2O3/Co磁性隧道结.光透射谱等实验结果表明等离子体氧化能可控制地制备较致密的Al2O3绝缘层.样品的TMR比值在室温下最高可达6.0％，反转场可低于800A/m，相应的平台宽度约为2400A/m.结电阻Rj的变化范围从百欧到几百千欧，并且TMR比值随零磁场结偏压增大单调减小.
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