Observation of Coulomb Oscillations with Single Dot Characteristics in Heavy Doped Ultra Thin SOI Nanowires

有背门的 Nanowire 设备被电子横梁平版印刷术在重做的极端薄 SOI 层制作。有单个点行为的常规、周期的库仑摆动在一个适当的背门电压范围被观察。摆动时期能被背门电容决定。背门的角色能从多点连接政体控制电的特征到单个点连接政体。当温度是不到 40 K 时，这些库仑摆动没被热颤动精力外面由于单个电子的通道涂。[从作者抽象]