砷化镓0．25μm PHEMT开关模型研究

借助于传统的FET等效电路模型，给出了0．25μm GaAs PHEMT的开关模型，并在ICCAP和ADS软件中，完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷（SPST）开关的仿真和测试，表明，在0．1～20GHz的频域内，其“开”态插入损耗误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于0．3dB、0．24和0．19；其“关”态隔离度误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于1．9dB、0．12和0．08。文中得到的PHEMT开关模型将有助于控制类单片集成电路的研究与开发。