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C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
2009
hirosi takasi nagata
hideyuki honma
hideo yamaguti
sigeo yasuhara
norio gezan
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