Ein 4-Megabit dynamischer Speicher in Sub-μm-CMOS-Technologie

Seit im Jahre 1970 der erste 1 kBit dynamische Speicher (DRAM) am Markt verfugbar wurde, steigerte sich in regel masiger Folge die Integrations- und somit Speicherdichte. Derzeit befindet sich mit dem 4-Megabit Speicher die siebente Generation dynamischer Halbleiterspeicher in Entwicklung, der Fertigungsanlauf dieser Generation kann bei fuhrenden Herstellern fur das Jahr 1989 erwartet werden.