ПОШАГОВЫЙ МЕТОД ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ В СОЗДАНИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Исследованы электрофизические параметры активных элементов ИМС (вертикальных n-p-n и горизонтальных p-n-p транзисторов, диодов) и выход годных изделий, p-типа слои которых создавались обычным и модернизированным пошаговым методом имплантации ионов бора.