Metallurgie des contacts metal-semiconducteur iii-v : DIAGRAMME DE PHASES ET INTERDIFFUSION EN PHASE SOLIDE DANS LES SYSTEMES Ni/A1AS ET Er/GaAs

Dans la technologie des semiconducteurs (sc) iii-v, la fabrication reproductible de contacts metal/sc fiables et de bonne qualite reste un probleme imparfaitement resolu. En principe, un tel contact peut etre obtenu par interdiffusion en phase solide d'une couche mince de metal avec le sc. Mais, contrairement au silicium, la presence d'un semiconducteur compose introduit la possibilite de formation de phases ternaires. Aussi, la necessite absolue de la determination experimentale du diagramme ternaire m-iii-v pour comprendre et interpreter les sequences de formation des phases obtenues par interdiffusions en couches minces a-t-elle ete clairement mise en evidence. Les diagrammes ternaires ni-al-as et er-ga-as ont ete determines a 800c et caracterises par diffraction x, microscopie electronique a balayage et microsonde de castaing. Seul le diagramme ni-al-as montre l'existence de phases ternaires originales derivees de la structure-type nias. Les interdiffusions en phase solide entre un film metallique (ni,er) et le substrat (alas, gaas), apres traitements thermiques entre 200 et 800c ont ete caracterisees par diverses techniques complementaires d'analyse (diffraction x, rbs, met, mesure de resistivite). Lors de ces deux etudes, le metal depose sur le sc ne conduit pas a la formation de composes ternaires stables et epitaxies, mais a des melanges de binaires et ternaires fortement textures. Les binaires epitaxies nial et eras apparaissent comme des candidats potentiels pour la formation de contacts stables m/sc iii-v. Pour la realisation d'heterostructures sc/m/sc, les arseniures de terres rares presentent toutefois des avantages non negligeables sur les composes metaux de transition-elements iii