The semiconductor light emitting device and a wafer

【課題】広い電流密度範囲で高い発光効率が得られる半導体発光素子及びウェーハを提供する。 【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 前記発光部は、Ｉｎ ｘ１ Ｇａ １−ｘ１ Ｎ（０＜ｘ１＜１）を含む複数の井戸層と、前記複数の井戸層どうしの間に設けられＧａＮを含む障壁層と、を含む。 前記複数の井戸層のうちで前記ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層は、前記複数の井戸層のうちの前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さよりも厚い。 前記ｐ側井戸層のＩｎ組成比は、前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層のＩｎ組成比よりも低い。 前記障壁層の厚さは、前記ｐ側井戸層の厚さの２倍以下である。 【選択図】図１