電界効果トランジスタ、半導体素子、及びエピタキシャル基板
2005
【課題】 ショットキ接合電極からのリーク電流が低減される電界効果トランジスタ及び半導体素子を提供する。また、ショットキ接合電極からのリーク電流が低減される電界効果トランジスタまたは半導体素子を作製するためのエピタキシャル基板を提供する。 【解決手段】 HEMT1は、支持基体3と、支持基体3上に設けられたGaN系化合物層5と、GaN系化合物層5上に設けられたAl X Ga 1−X N(0<X<1)層7と、Al X Ga 1−X N層7にショットキ接合を成すゲート電極9と、Al X Ga 1−X N層7上に設けられたソース電極11及びドレイン電極13とを備える。そして、GaN系化合物層5は、GaN結晶からなる高純度GaN層5aと、AlドープGaN層5bとを含む。AlドープGaN層5bにおけるAl濃度は、2×10 20 cm −3 以上5×10 21 cm −3 以下である。 【選択図】 図1
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