電界効果トランジスタ、半導体素子、及びエピタキシャル基板

【課題】 ショットキ接合電極からのリーク電流が低減される電界効果トランジスタ及び半導体素子を提供する。また、ショットキ接合電極からのリーク電流が低減される電界効果トランジスタまたは半導体素子を作製するためのエピタキシャル基板を提供する。 【解決手段】 ＨＥＭＴ１は、支持基体３と、支持基体３上に設けられたＧａＮ系化合物層５と、ＧａＮ系化合物層５上に設けられたＡｌ Ｘ Ｇａ １−Ｘ Ｎ（０＜Ｘ＜１）層７と、Ａｌ Ｘ Ｇａ １−Ｘ Ｎ層７にショットキ接合を成すゲート電極９と、Ａｌ Ｘ Ｇａ １−Ｘ Ｎ層７上に設けられたソース電極１１及びドレイン電極１３とを備える。そして、ＧａＮ系化合物層５は、ＧａＮ結晶からなる高純度ＧａＮ層５ａと、ＡｌドープＧａＮ層５ｂとを含む。ＡｌドープＧａＮ層５ｂにおけるＡｌ濃度は、２×１０ ２０ ｃｍ −３ 以上５×１０ ２１ ｃｍ −３ 以下である。 【選択図】 図１