Ｉｉｉ族窒化物結晶基板の製造方法、ｉｉｉ族窒化物結晶基板、および半導体デバイス

【課題】転位密度を低減できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板、および半導体デバイスを提供する。 【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板２０の製造方法は、準備工程と、成長工程と、除去工程とを備え、除去された側の面２０ａの転位密度が除去された側の面２０ａと反対側の面２０ｂの転位密度よりも低いことを特徴としている。準備工程では、下地基板１１を準備する。成長工程では、下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物結晶１２を液相法により成長させて、下地基板１１とＩＩＩ族窒化物結晶１２とを有する被成長基板１０を得る。除去工程では、下地基板１１側から少なくとも下地基板１１とＩＩＩ族窒化物結晶１２との界面を越える位置まで被成長基板１０を除去する。 【選択図】図３