Iii族窒化物結晶基板の製造方法、iii族窒化物結晶基板、および半導体デバイス
2007
【課題】転位密度を低減できるIII族窒化物結晶基板の製造方法、III族窒化物結晶基板、および半導体デバイスを提供する。 【解決手段】III族窒化物結晶基板20の製造方法は、準備工程と、成長工程と、除去工程とを備え、除去された側の面20aの転位密度が除去された側の面20aと反対側の面20bの転位密度よりも低いことを特徴としている。準備工程では、下地基板11を準備する。成長工程では、下地基板11上にIII族窒化物結晶12を液相法により成長させて、下地基板11とIII族窒化物結晶12とを有する被成長基板10を得る。除去工程では、下地基板11側から少なくとも下地基板11とIII族窒化物結晶12との界面を越える位置まで被成長基板10を除去する。 【選択図】図3
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