Etude du comportement électrochimique de semiconducteurs III-V en présence d'hétéropolyanions

Les heteropolyanions constituent des systemes multielectroniques fort interessants pour la modification d'electrodes vis-28a-vis du degagement d'hydrogene. Comme sur les electrodes metalliques, la modification de deux semi-conducteurs iii-v (inp et gaas) s'avere egalement possible et conduit a l'abaissement de la surtension du degagement d'hydrogene d'environ 500 mv. Neanmoins, a l'inverse des electrodes metalliques qui necessite une polarisation vers les potentiels tres negatifs, la modification de gaas peut s'effectuer par simple trempage au potentiel de repos. Au contraire, inp, qui ne peut se modifier que par la methode de polarisation rejoint le comportement electrochimique des electrodes metalliques. Cette opposition entre deux materiaux en apparence semblable est directement liee a la position relative des systemes redox de l'heteropolyanion vis-a-vis de chacune des bandes du semi-conducteur. L'heteropolyanion de Keggin. . .