Procédé de fabrication d'un composant à semiconducteur

La presente invention concerne un procede de fabrication d'un composant a semiconducteur qui est prevu comme incluant les etapes consistant a former une premiere couche conductrice sur un substrat, a former une seconde couche conductrice contenant une particule conductrice et de la resine sur la premiere couche conductrice et augmenter la surface ou la premiere couche conductrice et la seconde couche conductrice sont en contact l'une avec l'autre en illuminant la seconde couche conductrice avec un faisceau laser. En incluant l'etape de l'illumination par faisceau laser, on peut augmenter la partie ou la premiere couche conductrice et la seconde couche conductrice sont en contact l'une avec l'autre et on peut ameliorer une connexion electrique defectueuse entre la premiere couche conductrice et la seconde couche conductrice.