Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
2009
satosi morooka
takeo matuki
nobuyuki mituse
satosi kamiyama
tosihide namatame
kisyou eimori
yasuo nara
zirou yu ue
kazuhito ikeda
yuzuru oozi
Keywords:
Machine learning
Computer science
Artificial intelligence
Natural language processing
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]