Liquide de polissage ne contenant pas de grains abrasifs et procédé de polissage cmp

La presente invention concerne un liquide de polissage CMP qui est melange avec un agent oxydant lorsqu'il est utilise pour polir. Ce liquide de polissage CMP contient un agent antirouille au cuivre, un polymere soluble dans l’eau, un agent d’ajustement de pH et de l’eau, et ne contient sensiblement aucun grain abrasif. Grâce a l’utilisation d’un tel liquide de polissage CMP, la deformation pendant le polissage chimique du cuivre peut etre supprimee efficacement, ceci permettant de former un circuit a haute fiabilite. Il est preferable que les teneurs en agent antirouille, en polymere soluble dans l’eau et en agent oxydant soient respectivement de 0,1-5% en poids, de 0,05-5% en poids et de 0,01-5M pour 1 litre du liquide de polissage CMP, et que l'agent d’ajustement de pH soit contenu dans une quantite suffisante pour ajuster le pH du liquide CMP a 1,5-2,5.