Systeme de reaction destine a creer une couche mince

L'invention concerne un dispositif de depot de couche mince a depot atomique (ALD) comportant une chambre de depot concue pour deposer une couche mince sur une plaquette montee dans un espace defini dans la chambre. La chambre de depot comporte une entree de gaz se trouvant en communication avec l'espace. Un systeme gazeux est concu pour distribuer du gaz vers l'entree de gaz de la chambre de depot. Au moins une partie du systeme gazeux est disposee au-dessus de la chambre de depot. Le systeme de gaz comporte un melangeur destine a melanger une pluralite de flux gazeux. Un element de transfert se trouve en communication fluidique avec le melangeur et l'entree de gaz. L'element de transfert comporte une paire de parois divergeant horizontalement, concues pour disperser le gaz dans une direction horizontale avant entree dans l'entree de gaz.