Source d'electrons a emission de champ et son procede de production

Selon la presente invention, dans une source d'electrons a emission de champ (10), une couche de derivation a champ eleve (6) et une electrode de surface (7) composee d'une fine couche metallique sont disposees sur un substrat de silicium (1) de type n. Sur la surface arriere du substrat de silicium (1) de type n, on dispose une electrode ohmique. Une tension continue est appliquee de sorte que l'electrode de surface (7) presente un potentiel positif par rapport a l'electrode ohmique (2). Ainsi, des electrons injectes a partir de l'electrode ohmique (2) par l'intermediaire du substrat de silicium (1) de type n sur la couche de derivation a champ eleve (6) derivent dans la couche de derivation a champ eleve (6) et sont emis vers l'exterieur par l'intermediaire de l'electrode de surface (7). La couche de derivation a champ eleve (6) comprend une grande quantite de cristaux semi-conducteurs fins (63) de l'ordre du nanometre formes sur une partie de la couche semi-conductrice constituant la couche de derivation a champ eleve (6) et une grande quantite de couches d'isolation (64) formees sur la surface des cristaux semi-conducteurs fins (63) et possedant une epaisseur de couche generant le phenomene de penetration par effet tunnel d'electrons.