中频交流磁控溅射制备氧化锌铝（ZAO）薄膜的研究

利用两种中频交流磁控溅射电源，溅射A12O3含量为2％的两块氧化锌铝陶瓷靶材，在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明，制备得到的ZAO薄膜均具有C轴择优取向生长的晶体结构，在衬底温度为240℃时，得到的ZAO薄膜的电阻率低至1.4×10^-3Ω·cm，可见光平均透过率在82％以上。