Élément résistif variable, procédé servant à fabriquer l'élément résistif variable et dispositif de mémoire à semi-conducteur non volatile

L'invention concerne un element resistif variable lequel fonctionne a vitesse elevee et avec une faible consommation d'energie. Dans l'element resistif variable, une couche d'oxyde de metal (10) est disposee entre une premiere electrode (11) et une seconde electrode (12) et la resistance electrique entre la premiere electrode et la seconde electrode varie reversiblement en fonction de l'application d'une contrainte electrique appliquee entre la premiere electrode et la seconde electrode. La couche d'oxyde de metal (10) a un filament (13), lequel est une ligne de courant caracterisee en ce que la densite d'un courant circulant entre la premiere electrode et la seconde electrode augmente localement. Une partie comprenant au moins le voisinage d'une interface, laquelle est entre une electrode specifiee (11) d'au moins l'une de la premiere electrode ou de la seconde electrode et le filament (13), sur une interface entre l'electrode specifiee (11) et la couche d'oxyde de metal (10) est pourvue d'un oxyde d'interface (15) qui est un oxyde d'au moins un element inclus dans l'electrode specifiee (11) et qui est different de l'oxyde de la couche d'oxyde de metal (10).