Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による2次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性
AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による2次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性
2013
masayuki kamiya
Masayuki Kamiya
issin terayama
Kazuma Terayama
yuu ten takei
Yusuke Takei
wataru saitou
kuniyuki kaku sima
Kuniyuki Kakushima
sei wakabayasi
Hitoshi Wakabayashi
yosinori kataoka
issyou tutui
Kazuo Tsutsui
hirosi iwai
Hiroshi Iwai
Keywords:
Optoelectronics
algan gan
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]