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Acemap > Paper > 窒素添加LaB₆界面制御層によるペンタセン/SiO₂界面特性向上に関する検討 (シリコン材料・デバイス)

窒素添加LaB₆界面制御層によるペンタセン/SiO₂界面特性向上に関する検討 (シリコン材料・デバイス)

2018 
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