Film isolant et dispositif semi-conducteur

L'invention concerne un film isolant qui presente d'excellentes proprietes de film et, apres durcissement, presente une excellente resistance a la chaleur et une conductivite thermique d'au moins 3,0 W/m.K. Le film isolant est caracterise en ce qu'il contient (A) une resine epoxy novolaque, (B) un copolymere butadiene-acrylonitrile, (C) une resine d'aralkylphenol, (D) un catalyseur de durcissement, et (E) une charge isolante ayant une conductivite thermique d'au moins 20 W/mK, avec 10 a 20 parties en masse du composant (B) pour 100 parties en masse du total des composants (A) a (C), et avec 60 a 85 % en volume du composant (E) pour 100 % en volume du film isolant.