산화물 트랜지스터 및 그 제조 방법

본 발명은 산화물 트랜지스터 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일면에 따른 산화물 트랜지스터는, 게이트 전극으로 사용되는 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트절연막; 상기 실리콘 절연막의 상부에 밴드갭(Gap)이 기설정된 기준치 이상인 반도체 물질의 혼합 용액을 스핀코팅(Spin Coating)하는 공정중에 기설정된 자외선을 기설정된 시간동안 조사하여 산화물 활성층을 형성한 후 어닐링(annealing)함에 따라 형성된 산화물 박막; 및 상기 산화물 박막의 상부에 알루미늄을 증착하여 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.