Procede et appareil pour la fabrication de cristaux de carbure de silicium

L'invention concerne une methode et un appareil pour la croissance de cristaux de carbure de silicium. L'appareil inclut une chambre de sublimation comportant une pluralite de diviseurs espaces les uns des autres pouvant diriger la direction de croissance des cristaux de carbure de silicium dans des passages entre les diviseurs, de facon a former une pluralite de plaques en cristaux de carbure de silicium. Les plaques en cristaux de carbure de silicium peuvent etre utilisees en tant que germes de cristallins dans des etapes consecutives de sublimation, de maniere a favoriser la croissance des cristaux de carbure de silicium dans differentes directions cristallographiques et ainsi a eviter la formation de defauts.