Heusler型X_2RuPb(X=Lu,Y)合金的反带结构和拓扑绝缘性

采用第一性原理的计算方法，在不同条件下对Heusler型X2RuPb（X=Lu，Y）体系的电子结构展开研究．计算结果表明，这些合金在适当晶格变形或掺杂条件下，能够具有真正的拓扑绝缘体特性．杂化作用和自旋一轨道耦合作用都对材料产生“反带”结构发挥作用．但是针对不同成分所构成的材料，它们各自所起作用的程度有所不同，二者可以相辅相成．利用替换掺杂和四角变形双重调控方式可以更理想地进行“反带”结构调控进而获得理想的拓扑绝缘体，这对于材料的实际制备具有重要意义．