窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体素子の積層構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ

【課題】半導体層の形成工程においてバッファ層が消失すること無く、且つ、簡便な方法で基板を化合物半導体層から剥離させることができ、発光特性に優れた発光素子が歩留まり良く高効率で得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体素子の積層構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】基板２１上に、ＺｎＯバッファ層２２及びＡｌＮバッファ層２３をこの順で積層するバッファ層形成工程と、ＡｌＮバッファ層２３上に、窒化ガリウム系化合物からなる半導体層を形成する半導体層形成工程と、ＺｎＯバッファ層２２を除去することにより、基板２１を剥離する除去工程とを備える。 【選択図】図３