Sb掺杂SnO2（ATO）的制备及表面电荷对粉体导电性影响

以Na2SnO3·5H2O和Sb2O3为锡锑源,HNO3为沉淀剂,采用共沉淀法制备了结晶性良好,颗粒尺寸7~10nm的Sb掺杂SnO2（ATO）纳米颗粒。借助XRD、TEM、EDS、粉体电阻率测试仪、Zeta电位测试仪等研究了合成体系pH值、洗涤方式、表面活性剂、煅烧温度等因素对ATO性能的影响。结果表明,体系pH值对粉体颗粒尺寸和电导率影响显著。优选条件下,控制合成体系pH值为3,并经800℃煅烧所得ATO的晶粒尺寸约为8nm,电阻率为0.444Ω·cm。