YSZ／YSZ—NiO电解质薄膜在低温条件下的电学特性研究

摘要：采用脉冲激光沉积（PLD）法，在多孔支撑的NiO—YSZ阳极基底上制备YSZ电解质薄膜。利用XRD、SEM和射频阻抗／材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现，YSZ电解质薄膜在300—500℃之间，其电导活化能最小值为O．86eV，电导率可达到7．96×10^-5s／cm。