Characterization of DLC films deposited on silicon by the MW ECR-pacvd method

Des films de DLC (Diamond-like carbon) ont ete deposes sur du silicium par la technique de deposition chimique en phase vapeur assiste par plasma micro-onde dans un reacteur de type RCE (MW ECR \ PACVD), en utilisant un melange de gaz de C 6 H 6 /Ar, sous une tension negative (- 200 V), dans l'intervalle de temperature 200-350°C et une gamme de pression de 10 -4 - 15.10 -4 mbar. Une forte dependance des caracteristiques, telles que la morphologie de la surface, la rugosite, la durete, l'adherence et le niveau des contraintes residuelles de compression a ete trouvee en fonction de la variation du debit de l'argon de 5 a 35 sccm lorsque celui du benzene a ete maintenu constant.