Photodetecteurs a semi-conducteur a faible bruit

On forme un photodetecteur a partir d'un materiau semi-conducteur sensiblement entoure de surfaces dielectriques. On applique un procede de passivation sur au moins une surface pour reduire la vitesse de generation et de recombinaison de porteurs sur ladite surface. Un photocourant est affiche a partir d'au moins un contact electrique qui est forme sur une region dopee dont la surface repose entierement sur une surface passivee. On reduit le courant de fuite non desire des surfaces passivees en utilisant l'un des procedes suivants : (a) on separe la surface non passivee du contact photocollecteur par au moins deux jonctions, (b) on dope la surface non passivee a un niveau tres eleve, qui est au moins egal a la densite de la bande de conduction ou de la bande de valence des etats du semi-conducteur ; (c) on forme une couche d'accumulation ou d'inversion sur la surface non passivee en appliquant un champ electrique. On effectue les contacts electriques sur toutes les regions dopees et on applique une polarisation de sorte qu'une polarite inverse est conservee sur toutes les jonctions.