Déclenchement des structures thyristor métal oxyde semiconductor (Thys-MOS et MCT) par la composante du courant sous le seuil

On analyse le principe de l'utilisation de la composante du courant dite sous le seuil du transistor MOS pour faire basculer la caracteristique courant-tension du thyristor MOS. Il est montre que l'on obtient une sensibilite elevee en commande de grille et que le declenchement peut se produire pour une faible tension d'anode. Une tenue en transistoire “dV/dt” de l'ordre de 1 500 V/μs peut etre aussi assuree. Des configurations de structures thyristor MOS, mettant en oeuvre ce principe et etant technologiquement compatibles avec les circuits integres de puissance, sont decrites ; des caracteristiques electriques sont presentees, montrant le bien-fonde des previsions theoriques. On explique aussi, par le meme mecanisme, le basculement a la fermeture de certains dispositifs MCT (MOS controlled thyristor).