Method for controlling resistivity of head of Czochralski silicon

本发明公开了一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法，本发明技术方案的要点在于采用如下步骤：（1）制备测试单晶；（2）将测试单晶加工成测试样品，并对其进行电阻率测试；（3）如果样品电阻率测试不满足要求，则计算掺杂合金质量，进行二次掺杂；（4）掺杂完毕后，再次制备测试单晶，并对测试样品进行电阻率测试，如不满足要求，可进行三次或四次重复掺杂，直至电阻率满足要求。 通过实施该方法，可精确控制成品单晶电阻率，成品硅单晶电阻率与目标电阻率偏差控制在1-3Ω.cm范围内，成品硅单晶合格率提高8%，成本降低约20%。